深圳市南皇電子有限公司長期提供DMG3N60SJ3（品牌: Diodes）充足現貨訂購、免費樣品
技術參數詳解：
制造商產品型號：DMG3N60SJ3制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO251系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：Automotive, AEC-Q101零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650V25°C時電流-連續漏極(Id)：2.8A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3.5 歐姆 @ 1.5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：12.6nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：354pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：41W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：TO-251DMG3N60SJ3均從Diodes代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
