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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：DMTH6016LPDQ-13

技術標準參數：MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：DMTH6016LPDQ-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：Automotive, AEC-Q101

零件狀態：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續漏極(Id)：9.2A（Ta），33.2A（Tc）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：19 毫歐 @ 10A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：864pF @ 30V

功率-最大值：2.5W（Ta），37.5W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerTDFN

DMTH6016LPDQ-13均從Diodes代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Diodes

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