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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IXYQ30N65B3D1

原始制造廠商：IXYS

技術標準參數：DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：IXYQ30N65B3D1

制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）

描述：DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：GenX3?, XPT?

零件狀態：有源

IGBT類型：PT

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：70A

電流-集電極脈沖(Icm)：160A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A

功率-最大值：270W

開關能量：830μJ（開），640μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：45nC

25°C時Td（開/關）值：17ns/87ns

測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：38ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-3P-3，SC-65-3

IXYQ30N65B3D1均從IXYS代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

IXYS

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