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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：BSG0813NDIATMA1

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術標準參數：MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：BSG0813NDIATMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：-

零件狀態：有源

FET類型：2 N 溝道（雙）非對稱型

FET功能：邏輯電平柵極，4.5V 驅動

漏源電壓（Vdss）：25V

25°C時電流-連續漏極(Id)：19A，33A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3 毫歐 @ 20A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：8.4nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 12V

功率-最大值：2.5W

工作溫度：-55°C ~ 155°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerTDFN

BSG0813NDIATMA1均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Infineon

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