深圳市南皇電子有限公司長期提供IPD122N10N3 G（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術參數(shù)詳解：
Infineon英飛凌公司完整型號：IPD122N10N3 G制造廠家名稱：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3系列：OptiMOS?FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：59A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：12.2 毫歐 @ 46A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 46μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：35nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2500pF @ 50V功率 - 最大值：94W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應商器件封裝：PG-TO252-3IPD122N10N3 G均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
