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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：APTM100A12STG

技術標準參數：MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：APTM100A12STG

制造商：Microsemi Corporation

描述：MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：-

零件狀態：停產

FET類型：2 個 N 通道（半橋）

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：1000V（1kV）

25°C時電流-連續漏極(Id)：68A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：120 毫歐 @ 34A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 10mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：616nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：17400pF @ 25V

功率-最大值：1250W

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝：SP3

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Microsemi

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