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深圳市南皇電子有限公司長期提供PMDPB80XP,115（品牌: NXP）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：PMDPB80XP,115

技術標準參數：MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6

產品應用分類：場效應管陣列

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技術參數詳解：

NXP恩智浦完整型號：PMDPB80XP,115

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6

系列：-

FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平柵極，1.8V 驅動

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：2.7A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：102 毫歐 @ 2.7A， 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.6nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：550pF @ 10V

功率 - 最大值：485mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：6-HUSON（2x2）

PMDPB80XP,115均從NXP代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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