深圳市南皇電子有限公司長期提供HGT1S12N60A4S9A（品牌: ON）充足現貨訂購、免費樣品
技術參數詳解：
制造商產品型號：HGT1S12N60A4S9A制造商：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 54A 167W TO263AB系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：停產IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：54A電流-集電極脈沖(Icm)：96A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，12A功率-最大值：167W開關能量：55μJ（開），50μJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：78nC25°C時Td（開/關）值：17ns/96ns測試條件：390V，12A，10 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263ABHGT1S12N60A4S9A均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
