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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：RJH60D5BDPQ-E0#T2

原始制造廠商：Renesas，瑞薩電子

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 600V 75A 200W TO-247

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：RJH60D5BDPQ-E0#T2

制造商：Renesas Electronics America Inc

描述：IGBT 600V 75A 200W TO-247

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝道

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：75A

電流-集電極脈沖(Icm)：-

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，37A

功率-最大值：200W

開關(guān)能量：400μJ（開），810μJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：78nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：50ns/130ns

測試條件：300V，37A，5 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：25ns

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

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