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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：STGB3NB60SDT4

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 6A 70W D2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STGB3NB60SDT4

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 6A 70W D2PAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：PowerMESH?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：6A

電流-集電極脈沖(Icm)：25A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 15V，3A

功率-最大值：70W

開關(guān)能量：1.15mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：18nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：125ns/3.4μs

測試條件：480V，3A，1 千歐，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：1.7μs

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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