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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：TLE2062IDR

技術標準參數：IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC

產品應用分類：線性器件 - 放大器 - 儀器、運算放大器、緩沖放大器

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技術參數詳解：

制造商產品型號：TLE2062IDR

制造商：Texas Instruments

描述：IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC

產品系列：線性器件 - 放大器 - 儀器、運算放大器、緩沖放大器

包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）

系列：-

零件狀態：有源

放大器類型：J-FET

電路數：2

輸出類型：-

壓擺率：3.4V/μs

增益帶寬積：2MHz

-3db帶寬：-

電流-輸入偏置：4pA

電壓-輸入補償：900μV

電流-供電：625μA（x2 通道）

電流-輸出/通道：80mA

電壓-供電，單/雙?(±)：7V ~ 36V，±3.5V ~ 18V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

產品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

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