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深圳市南皇電子有限公司長期提供TPN4R712MD,L1Q（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：TPN4R712MD,L1Q

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：TPN4R712MD,L1Q

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：U-MOSVI

零件狀態(tài)：有源

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：36A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：4.7 毫歐 @ 18A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：65nC @ 5V

Vgs（最大值）：±12V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4300pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：42W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-TSON Advance（3.3x3.3）

TPN4R712MD,L1Q均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競爭對手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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