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深圳市南皇電子有限公司長期提供SQJ960EP-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SQJ960EP-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

產品應用分類：場效應管陣列

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技術參數詳解：

Vishay威世半導體原廠型號：SQJ960EP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：8A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：36 毫歐 @ 5.3A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：735pF @ 25V

功率 - 最大值：34W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SO-8 雙

供應商器件封裝：PowerPAK SO-8 Dual

SQJ960EP-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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